Активная копланарная линия передач на основе двухбарьерных GaAs/AlAs резонансно-туннельных диодов

نویسندگان

چکیده

Double-barrier GaAs/AlAs resonant tunneling diodes (RTDs) have become the promising elements for development of sub-mm and THz emitters. We report on fabrication RTD samples that were characterized via RF-reflectometry to determine parameters its equivalent circuit. By using numerical simulation we show coplanar transmission line with under study provides an amplification up 8 GHz.

برای دانلود رایگان متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

ذخیره در منابع من


  با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ژورنال

عنوان ژورنال: Pis?ma v Žurnal tehni?eskoj fiziki

سال: 2023

ISSN: ['1726-7471', '0320-0116']

DOI: https://doi.org/10.21883/pjtf.2023.02.54279.19395